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          张飞软硬开源基于STM32 BLDC直流无刷电机驱动器开发视频套件,??戳此立抢??

          国内功率半导体需求持续上升 产品价格预期仍将上涨

          渔翁先生 ? 2019-03-19 09:30 ? 次阅读

          全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出,受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。

          其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币,较2017年同比成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币,较2017年同?#20173;?#38271;8%。

          集邦咨询分析师谢瑞峰指出,功率半导体作为需求驱动型的产业,2019年景气仍然持续向上。虽然仍受到全球贸易不稳定等因素影响,但在需求驱动下,受影响程度要小于其他IC产品。集邦咨询预估,2019年中国功率半导体市场规模将达到2,907亿元人民币,较2018年成长12.17%,维持双位数的成长表现。

          受益于国产替代的政策推动和缺货涨价的状况,2018年多家中国本土功率半导体厂商取得亮眼的成绩,并扩大布局。其中,比亚迪微电子凭借拥有终端的优势,在车用IGBT市场快速崛起,取得中国车用IGBT市场超过两成的市占率,一跃成为中国销售额前三的IGBT供应商;MOSFET厂商华微电子和扬杰科?#21152;?#25910;大增,并且逐渐导入IGBT市场。

          另外,新建与规划中的IGBT产线有士兰微厦门12寸特色工艺产线、华润微电子在重庆建设的12寸特色工艺产线,以及积塔半导体专业汽?#23548;禝GBT产线等。同时,多?#39029;?#21830;也?#24230;?#30740;发SiC等新材料技术领域,基本半导体的SiC MOSFET已进入量产上市,而定位为代工的三安光电SiC产线也已开始接单、比亚迪微电子也已研发成功SiC MOSFET,其目标是到2023年实现SiC MOSFET对硅基IGBT的全面替代。

          展望2019年,从终端需求来看,新能源汽车仍然为中国功率半导体市场最大需求来源,根据集邦咨询资料显示,2019年中国新能源车产量预估为150万辆,较前一年成长45%,其ADAS系?#22330;?#30005;控以及充电桩的需求将带动功率分立器件市场规模约270亿元。同时,5G建设所需的基站设备及其普及后带来物联网、云计算的快速发展,将对功率半导体产生长期大量需求,另外,工业自动化规划持续推进,与之相关的电源、控制、驱动电路将持续推升中国功率半导体的采购。

          从供应端来看,2019年虽然有3-5条功率产线将进入量产,但根据集邦咨询预计,2019年前三季度功率分立器件产品缺货情况恐难有明?#38498;?#36716;,多?#39029;?#21830;的产品价格预期仍将上涨。从厂商的技术发?#20272;?#30475;,SiC MOSFET?#22411;?#36827;一步提高在车用领域对硅基IGBT的替代率,硅基IGBT则?#22411;?#21521;更低功耗、更高效率的?#36739;?#32487;续发展。

          来源:集邦咨询  

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          视?#23548;?#20171;:DC-DC转换器设计人员正设法减少设计的尺寸/提高输出功率。在本视频中,我们将为您介绍行业....
          的头像 EE techvideo 发表于 03-04 06:19 ? 544次 观看
          首款100V DC-DC转换器桥式功率级模块的性能与应用介绍

          赛米控功率半导体应用手册第二版电子书免费下载

          集成在功率模块中的 IGBT 和 MOSFET 是当今电力电子电路的关键部件,其应用范围正在不断拓展....
          发表于 03-01 08:00 ? 232次 阅读
          赛米控功率半导体应用手册第二版电子书免费下载

          2019年Q1功率半导体呈现淡季不淡的趋势

          Yole预测,2016年全球功率器件市场规模约为292亿美元,预计至2022年 市场规模将增长至 3....
          的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-27 14:59 ? 3797次 阅读
          2019年Q1功率半导体呈现淡季不淡的趋势

          新型SiC光导开关特性研究论文的详细资料说明

          光导开关因其具备开关速度快、传输功率大、同步精度高、触发抖动小、器件结构简单、使用寿命长、近乎完美的....
          发表于 02-27 08:00 ? 73次 阅读
          新型SiC光导开关特性研究论文的详细资料说明

          EN6347QI 4A PowerSoC集成电感降压型直流开关变换器的数据手册

          EN6347QI是Intel Enpirion 芯片电源系统(PowerSOC)DC-DC转换器。它....
          发表于 02-26 08:00 ? 75次 阅读
          EN6347QI 4A PowerSoC集成电感降压型直流开关变换器的数据手册

          LTspice IV模拟电路图软件免费下载

          LTspiceIV是一款专为pc用户打造的模拟电路图软件,通过该软件用户可以在上面绘制各种电路图,无....
          发表于 02-25 08:00 ? 101次 阅读
          LTspice IV模拟电路图软件免费下载

          Vishay宣布推出新款第四代n沟道功率MOSFET 导通电阻比前代器件降低36%

          器件采用PowerPAK? SO-8单体封装,栅极电荷为52 nC,输出电荷为68 nC均达到同类产....
          发表于 02-21 16:15 ? 299次 阅读
          Vishay宣布推出新款第四代n沟道功率MOSFET 导通电阻比前代器件降低36%

          捷捷微电在香港君悦?#39057;?#20030;?#26032;?#26684;理证券2019年A股策略会

          集微网消息 2月20日,捷捷微电昨日在香港君悦?#39057;?#20030;行了麦格理证券2019年A股策略会,捷捷微电董事....
          的头像 半导体投资联盟 发表于 02-21 10:33 ? 1157次 阅读
          捷捷微电在香港君悦?#39057;?#20030;?#26032;?#26684;理证券2019年A股策略会

          功率半导体将依然保持可持续进口替代空间 但仍需要半导体产业人更多的付出与努力

          随着国内汽车电子、工业电子等下游产业日渐崛起,半导体分立器件的市场需求迅速提升,迎来更广阔的发展前景....
          的头像 半导体动态 发表于 02-20 15:00 ? 691次 阅读
          功率半导体将依然保持可持续进口替代空间 但仍需要半导体产业人更多的付出与努力

          英飞凌IGBT7和EmCon7分析和讨论

          为了研究FS设计和性能之间的影响,本文对三种设计的开关曲线展开了分析。图6显示了基于三种不同设计的新....
          的头像 英飞凌工业半导体 发表于 02-20 14:56 ? 2654次 阅读
          英飞凌IGBT7和EmCon7分析和讨论

          UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 基于 CMOS 输入阈值的双路 5A 高速低侧栅极驱动器

          UCC27528-Q1器件是一款双通道,高速,低侧栅极驱动器,能够高效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关.UCC27528-Q1器件采用的设?#21697;?#26696;可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供高达5A的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为17ns)。除此之外,此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极输入引脚阈值基于CMOS逻辑,此逻辑是VDD电源电压的一个函数。高低阈?#23548;?#30340;宽滞后提供了出色的抗噪性。使能引脚基于TTL和COMS兼容逻辑,与VDD电源电压无关。 UCC27528-Q1是一款双通道同相驱动器。?#31508;?#20837;引脚处于悬空状态时,UCC27528-Q1器件可UCC27528-Q1器件特有使能引脚(ENA和ENB),能够更好地控制此驱动器应用的运?#23567;?#36825;些引脚内部上拉至VDD电源以实?#25351;?#30005;?#25509;?#25928;逻辑运行,并且可保持断开连接状态以实现标准运?#23567;? 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100器件温度等级1 工业标?#23478;?#33050;分配 两个独立的栅极驱动通道 5A峰值供源和吸?#28072;?#21160;电流 互补金属氧化...
          发表于 10-16 11:19 ? 20次 阅读
          UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 基于 CMOS 输入阈值的双路 5A 高速低侧栅极驱动器

          UCC27211A 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

          UCC27211A器件驱动器基于广受?#38431;?#30340;UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应?#25945;?#36716;换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。&gt; UCC27211A的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和?#30001;?#30005;容所固有的负电压影响.UCC27210A(a CMOS输入)和UCC27211A(TTL输入)已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器?#23884;?#31435;控制?#27169;?#24182;且在彼此的接通和关?#29616;?#38388;实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的?#36291;?#20108;极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有?#36153;?#38145;定功能,?#21830;?#20379;对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平...
          发表于 10-16 11:19 ? 69次 阅读
          UCC27211A 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

          UCC27518A-Q1 4A/4A 单通?#26639;?#36895;低侧栅极驱动器

          UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1单通?#26639;?#36895;低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能?#36824;啵?#25289;高峰值电流脉冲进入到电容负载,此电容负载提供了轨到轨驱动的双极型晶体管(IGBT)开关。借助于固有的大大减少击穿电流的设计能力以及极小传播延迟(典型值为17ns)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在VDD = 12V时提供4A拉电流和4A灌电流(对称驱动)峰值驱动电流功能。 /p> UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C到140°C的宽温度范围内运行.VDD引脚上的内部?#36153;?#38381;锁(UVLO)电路保持VDD运行范围之外的输出低电平。能够运行在诸如低于5V的低电压电平上,连同同类产品中最佳的开关特性,使得此器件非常适合于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供(只用于预览)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的输入引脚阀值基于CMOS逻辑电路,此逻辑电路的阀值电压是VDD电源电压的函数。通常情况下,输入高阀值(V IN-H )是V DD 的55%,而输入低阀值(V IN-L...
          发表于 10-16 11:19 ? 44次 阅读
          UCC27518A-Q1 4A/4A 单通?#26639;?#36895;低侧栅极驱动器

          UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

          UCC27211A-Q1器件驱动器基于广受?#38431;?#30340;UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 < p>峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应?#25945;?#36716;换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC27211A-Q1的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和?#30001;?#30005;容所固有的负电压影响.UCC27211A-Q1已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器独立控制?#27169;?#24182;在彼此的接通和关?#29616;?#38388;实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的?#36291;?#20108;极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有?#36153;?#38145;定功能,?#21830;?#20379;对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。 UCC27211A-Q1器件采用8引脚SO-...
          发表于 10-16 11:19 ? 86次 阅读
          UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

          TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

          TPS51604-Q1驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具?#33455;?#31616;死区时间驱动和自动零交叉等高级特性,可用于在整个负载范围内优化效率。 SKIP 引脚提供立即CCM操作以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604-Q1还支持两种低功耗模式。借助于三态PWM输入,静态电流可减少至130μA,并支持立即响应。当跳过保持在三态时,电流可减少至8μA。此驱动器与?#23454;?#30340;?#36718;?#20202;器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系?#22330;? TPS51604-Q1器件采用节省空间的耐?#20173;?#24378;型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至125°C。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: 器件温度等级1:-40°C至125°C 器件人体模型静电放电(ESD)分类等级H2 器件的充电器件模型ESD分类等级C3B 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实?#25351;?#25928;运行的经优化信号路?#22534;?#36831; 针对超级本(超极)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V...
          发表于 10-16 11:19 ? 66次 阅读
          TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

          UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

          UCC27532-Q1是一款单通?#26639;?#36895;栅极驱动器,此驱动器可借助于高达2.5A的源电流和5A的灌电流(?#23884;?#31216;驱动)峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和IGBT电源开关。?#23884;?#31216;驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒接通效应的能力.UCC27532-Q1器件还特有一个分离输出配置,在此配置中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚?#36824;?#20837;。这个引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚采用独立的接通和关闭电阻器,并且能很轻易地控制开关的转换率。 此驱动器具有轨到轨驱动功能以及17ns(典型值)的极小传播延迟。 UCC27532-Q1器件具有CMOS输入阀值,此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55%的电压值与比VDD低45%的电压值范围内。当VDD高于18V时,输入阀值保持在其最大水平上。 此驱动器具有一个EN引脚,此引脚有一个固定的TTL兼容阀值.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁用驱动器,而将其保持打开?#21830;?#20379;正常运?#23567;N引脚可被用作一个额外输入,其性能与IN引脚一样。 将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平。此驱动器的逻辑运行方?#36739;?#31034;在,,和中。 VDD引脚...
          发表于 10-16 11:19 ? 31次 阅读
          UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

          UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

          UCC27516和UCC27517单通?#26639;?#36895;低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设?#21697;?#26696;可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517?#21830;?#20379;峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部?#36153;?#38381;锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任?#25105;?#20010;都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...
          发表于 10-16 11:19 ? 39次 阅读
          UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

          UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

          UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。采用本质上最小化直通电流的设计,这些驱动器在MOSFET开关转换期间在Miller?#25945;?#21306;域提供最需要的4A电流。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压?#29575;迪指?#25928;的电流源和灌电流。 该器件采用标准SOIC-8(D)封装。 特性 符合汽车应用要求 行业标?#23478;?#33050; 高电流驱动能力±4位于Miller Plateau Region的 即使在低电源电压下也能实?#25351;?#25928;恒流源 TTL和CMOS兼容输入独立于电源电压 典型上升时间为20 ns,典型下降时间为15 ns,负载为1.8 nF 典型传播延迟时间为25 ns,输入下降,输入时间为35 ns上升 电源电压为4 V至15 V 供电电流为0.3 mA 双输出可以并联以获得更高的驱动电流 额定值从T J = -40°C至125°C TrueDrive输出架构使用并联双极晶体管和CMOS晶体管 参数 与其它产品相比?低侧驱动器 ? Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Time (ns) Fall Time (ns) Prop Delay (ns) Input T...
          发表于 10-16 11:19 ? 27次 阅读
          UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

          LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

          LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半?#25490;?#32622;的通道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达100 V的电源电压下工作.A版本提供完整的3-A栅极驱动,而B和C版本分别提供2 A和1 A.输出由CMOS输入阈值(LM5100A /B /C)或TTL输入阈值(LM5101A /B /C)独立控制。 提供集成高压二极管为高端栅极充电驱动?#36291;?#30005;容。稳健的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的?#21024;?#30005;平转换。低侧和高侧电源轨均提供?#36153;?#38145;定。这些器件采用标准SOIC-8引脚,SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装。 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封装。 LM5101A还提供WSON-8引脚封装。 特性 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET ...... 独立高低 - 驱动器逻辑输入 ?#36291;?#30005;源电压高达118 V DC 快速传播时间(典型值为25 ns) 驱动1000-pF负载,8- ns上升和下降时间 优秀的传播延迟匹配(3 ns 典型值) 电源轨?#36153;?#38145;定 低功耗< /li> 引脚与HIP2100 /HIP2101兼容 参数 与其它产品相比?半桥驱动器 ? Number of Ch...
          发表于 10-16 11:19 ? 84次 阅读
          LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

          TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

          TPS2811双通?#26639;?#36895;MOSFET驱动器能够为高容性负载提供2 A的峰值电流。这?#20013;?#33021;是通过一种设计实现?#27169;?#35813;设计本身可以最大限度地减少直通电流,并且比竞争产品消耗的电源电流低一个数量级。 TPS2811驱动器包括一个稳压器,?#24066;?#22312;14 V和14 V之间的电源输入工作。 40 V.稳压器输出可以为其他电路供电,前提是功耗不超过封装限制。当不需要稳压器时,REG_IN和REG_OUT可以保持断开状态,或者两者都可以连接到V CC 或GND。 TPS2811驱动器采用8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度范围内工作。 特性 符合汽车应用要求 行业标准驱动程序更换 25-ns Max Rise /下降时间和40-ns Max 传播延迟,1-nF负载,V CC = 14 V 2-A峰值输出电流,V CC < /sub> = 14 V 输入电压高或低的5μA电源电流 4 V至14 V电源电压范围;内部调节器将范围扩展至40 V -40°C至125°C环境温度工作范围 参数 与其它产品相比?低侧驱动器 ? Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Tim...
          发表于 10-16 11:19 ? 23次 阅读
          TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

          UCC27511 4A/8A 单通?#26639;?#36895;低侧闸极驱动器

          UCC27511和UCC27512单通?#26639;?#36895;低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设?#21697;?#26696;可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 UCC27511特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关。高低阈?#23548;?#30340;宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流,8A灌电流(?#23884;?#31216;驱动)峰值驱动电流能力。?#23884;?#31216;驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生,米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置,其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出,通过OUTL引脚灌入。这种独特的引?#25490;?#21015;使...
          发表于 10-16 11:19 ? 37次 阅读
          UCC27511 4A/8A 单通?#26639;?#36895;低侧闸极驱动器

          UCC27517 4A/4A 单通?#26639;?#36895;低侧闸极驱动器

          UCC27516和UCC27517单通?#26639;?#36895;低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设?#21697;?#26696;可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517?#21830;?#20379;峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部?#36153;?#38381;锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任?#25105;?#20010;都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...
          发表于 10-16 11:19 ? 63次 阅读
          UCC27517 4A/4A 单通?#26639;?#36895;低侧闸极驱动器

          UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

          UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V?#36291;?#20108;极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这?#24066;?#22312;半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关?#29616;?#38388;匹配1 ns。 片内?#36291;?#20108;极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供?#36153;?#38145;定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD?#36291;?#20108;极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...
          发表于 10-16 11:19 ? 69次 阅读
          UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

          UCC27538 栅极驱动器

          UCC2753x单通?#26639;?#36895;栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个?#36153;?#38145;定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) ?#36153;?#38145;定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用?#23454;?#30340;偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
          发表于 10-16 11:19 ? 24次 阅读
          UCC27538 栅极驱动器

          UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通?#26639;?#36895;低侧栅极驱动器

          UCC27517A-Q1单通?#26639;?#36895;低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能?#36824;啵?#25289;高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1?#21830;?#20379;峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部?#36153;?#38145;定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环?#21507;?#34892;温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...
          发表于 10-16 11:19 ? 12次 阅读
          UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通?#26639;?#36895;低侧栅极驱动器

          UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

          UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受?#38431;?#30340;UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应?#25945;?#36716;换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和?#30001;?#30005;容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器?#23884;?#31435;控制?#27169;?#24182;在彼此的接通和关?#29616;?#38388;实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的?#36291;?#20108;极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有?#36153;?#38145;定功能,?#21830;?#20379;对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...
          发表于 10-16 11:19 ? 87次 阅读
          UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

          UCC27710 具?#35874;?#38145;功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

          UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,?#31508;?#20837;保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全?#28903;?#24120;工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...
          发表于 10-16 11:19 ? 113次 阅读
          UCC27710 具?#35874;?#38145;功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

          UCC27533 栅极驱动器

          UCC2753x单通?#26639;?#36895;栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个?#36153;?#38145;定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) ?#36153;?#38145;定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用?#23454;?#30340;偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
          发表于 10-16 11:19 ? 109次 阅读
          UCC27533 栅极驱动器

          UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

          UCC2753x单通?#26639;?#36895;栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个?#36153;?#38145;定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) ?#36153;?#38145;定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用?#23454;?#30340;偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
          发表于 10-16 11:19 ? 42次 阅读
          UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

          TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

          TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(?#25351;辭谢?#36890;常需要20μs)。此驱动器与合适的?#36718;?#20202;器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系?#22330;? TPS51604器件采用节省空间的耐?#20173;?#24378;型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实?#25351;?#25928;运行的经优化信号路?#22534;?#36831; 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?半桥驱动器 ? Number of Channels (#) ...
          发表于 10-16 11:19 ? 83次 阅读
          TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器
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