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          张飞软硬开源基于STM32 BLDC直流无刷电机驱动器开发视频套件,??戳此立抢??

          内存市场转向成效浮现 三星、Intel促嵌入式MRAM普及

          渔翁先生 ? 来源:电子发烧友网 ? 作者: 尹志坚 ? 2019-03-13 15:25 ? 次阅读

          在内存市场,业界普遍认为,在前沿SoC(片上系统)和大规模微控制器(MCU)中的逻辑嵌入式非易失性存储器的开发可谓非常活跃。到目前为止,处理器内核的程序代码主要存储在SoC和微型计算机内置的逻辑嵌入式闪存中,然而,嵌入式闪存的小型化已近乎突破极限,无法跟上CMOS逻辑的小型化。
           
          据称嵌入式闪存的小型化极限是在CMOS逻辑技术节点40nm至28nm上产生。“嵌入式非易失性存储器”?#22411;?#22312;28nm及更高版本的CMOS逻辑上扮演“嵌入式闪存”的角色。
           
          嵌入式闪存达到更小型化的技术极限的主要原因是嵌入式闪存的存储器单元是晶体管。由于它是晶体管技术,它必须与CMOS逻辑晶体管技术兼容。然而,CMOS逻辑晶体管已经代代相传。这些包括应变硅技术,HKMG技术和FinFET技术。嵌入式闪存很难跟随这些连续变化。
           
          另一方面,在嵌入式非易失性存储器中,不是晶体管而是双端可变电阻元件负责数据存储。根据可变电阻元件的存储原理的不同,有三种主要技术。电阻变化存储器(ReRAM),磁阻存储器(MRAM),相变存储器(PCM)。
           
          这些技术的共同之处在于它们可以形成可变电阻元件,用于半独立地或完全独立于逻辑中的晶体管技术进行存储。随着小型化,逻辑中的晶体管技术?#22411;?#22312;未来发生重大变化。嵌入式闪存是一?#24535;?#20307;管技术,几乎不可能创建与逻辑匹配的开发路线图。另一方面,即使逻辑的小型化提前到例如5nm或更小,嵌入式非易失性存储器也可?#38498;?#26080;问题地遵循小型化。它应是未来闪存市场的技术趋势。
           
          此外,与嵌入式非易失性存储器中的嵌入式闪存相比,写入相对较快,电源电压相对?#31995;停?#24182;且添加到CMOS逻辑制造的掩模数量小至约3(大约10个嵌入式闪存)。有诸如此类的优点出于这个原因,主要的闪存厂商和微型计算机供应商正在积极致力于嵌入式非易失性存储器的开发。
           
          韩国三星电子3月6日宣布在韩国器兴厂开始大规模生产嵌入式磁阻存储器(eMRAM),以取代嵌入式闪存(eFlash)。据其介绍,eMRAM采用28nm制程工艺,并基于FD-SOI的技术集成冲压处理,目前已经开始批?#21487;?#20135;。该公司计划年内开始生产1千兆位(Gb)eMRAM测试芯片,继续扩展其嵌入式存储器解决方?#28014;?br />  
          美国英特尔(Intel)公司也已经透露,它正在开发一种用于逻辑的“嵌入式非易失性存储器”——嵌入式磁阻存储器(eMRAM)和嵌入式电阻变化存储器(ReRAM)。英特尔称,其开发的eMRAM也已处于量产阶段,ReRAM目前还处于开发阶段,二者都是基于FinFET技术的22nm制程工艺制造。


          图1:英特尔已量产的嵌入式非易失性存储器MRAM产品规格参数


          图2:英特尔正在研发的嵌入式非易失性存储器ReRAM产品相关参数

           
          英特尔表示,嵌入式ReRAM技术和嵌入式MRAM技术采用了通用元件来提高制造良率,并且嵌入式MRAM技术已经发展到可以大规模生产的水平,可以通过将其集成到产品中。
           
          结论:“次世代?#19988;?#20307;”的问世,不论是率先推出的三星、英特尔,还是后续的半导体厂商台积电、联电等,非易失性存储器如MRAM,ReRAM和PCM即将作为前沿逻辑中的嵌入式存储器而普及。                            
           
           

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          ?#35775;?#22996;员会将于近期启动对三星、海力士、美光的反垄?#31995;?#26597;。
          的头像 芯论 发表于 04-19 15:40 ? 367次 阅读
          中国、?#35775;?#21551;动新一轮的反垄断审查,存储三巨?#26041;?#38754;临全球反垄?#29616;?#35009;

          円星科技将在台积电28奈米嵌入式闪存制程技术开发SRAM Compiler IP

          台湾新竹 - 2019年4月17日 -全球精品硅智财开发商円星科技(M31 Technology,台....
          发表于 04-19 15:26 ? 59次 阅读
          円星科技将在台积电28奈米嵌入式闪存制程技术开发SRAM Compiler IP

          三星正式量产5G芯片,并明确拒绝?#36824;?#36141;买意向

          三星本周将在韩国推出首款5G智能手机Galaxy S10。而?#36824;?#24456;可能比三星落后整整两年。
          的头像 ssdfans 发表于 04-19 15:09 ? 542次 阅读
          三星正式量产5G芯片,并明确拒绝?#36824;?#36141;买意向

          三星危机!亚马逊打响第一枪

          亚马逊正在联系其他制造商以取代有问题的三星DRAM
          的头像 ssdfans 发表于 04-19 15:03 ? 550次 阅读
          三星危机!亚马逊打响第一枪

          大反转!三星电子或是2015年窃取 ASML软件的幕后黑手

          ASML首席执行官Peter Wennink在荷兰电视台的一次采访中透露,“我们最大的韩国?#31361;А?#35201;为....
          的头像 芯论 发表于 04-19 15:02 ? 564次 阅读
          大反转!三星电子或是2015年窃取 ASML软件的幕后黑手

          Intel宣布正式收购Omnitek 将在FPGA上获益

          2015年,Intel斥资167亿美元收?#27627;薋PGA市场巨头Altera,和赛灵思正面?#36291;觶?#26368;近还推....
          发表于 04-19 14:42 ? 70次 阅读
          Intel宣布正式收购Omnitek 将在FPGA上获益

          2022年中国将有19座生产大尺寸面板和小尺寸面板的工厂

          谢勤益表示,三星之所以能成为全球最早推出折叠智能手机的品牌,主要因为其搭载着技术领先的自家面板厂三星....
          发表于 04-19 14:34 ? 118次 阅读
          2022年中国将有19座生产大尺寸面板和小尺寸面板的工厂

          无核?#36291;?#20195;酷睿三款高端型号上架台湾 最高比内地便宜840元

          内地市场开卖多日之后,没有核芯显卡的九代酷睿三款高端型号终于出现在台湾市场上,相对来说还挺便宜的。
          发表于 04-19 14:28 ? 73次 阅读
          无核?#36291;?#20195;酷睿三款高端型号上架台湾 最高比内地便宜840元

          2019年全球5G智能手机出货量将达到500万部

          Strategy Analytics总监Ken Hyers表示,“Strategy Analytic....
          发表于 04-19 10:35 ? 138次 阅读
          2019年全球5G智能手机出货量将达到500万部

          三星GalaxyS9+评测 这一代的升级确实太过于常规

          每年的三星Galaxy S/Note 系列智能手机都可以说是当之无愧的旗舰机皇,但是机?#25910;?#20010;词我们真....
          的头像 39度创意?#33455;?#25152; 发表于 04-19 09:26 ? 852次 阅读
          三星GalaxyS9+评测 这一代的升级确实太过于常规

          5G设备市场份额分析: 三星?#22411;?#32763;番,诺基亚份额恐?#23567;?#19979;?#23567;?#39118;险

          诺基亚和华为在全球无线网路设备的份额均为23%、爱立信为29%、三星为5%。而三星积极拓展,为Ver....
          的头像 5G 发表于 04-19 09:05 ? 475次 阅读
          5G设备市场份额分析: 三星?#22411;?#32763;番,诺基亚份额恐?#23567;?#19979;?#23567;?#39118;险

          GD25Q256D串行闪存的数据手册免费下载

          GD25Q256D(256M位)串行闪存支持标?#21363;型?#22260;接口(SPI),并支持双/四SPI:串行时钟....
          发表于 04-19 08:00 ? 30次 阅读
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          怎么使用ECC闪存空间来保存用户数据并处理8KB额外闪存

          你好, 我想使用ECC闪存空间来保存用户数据并处理8KB额外闪存。要做到这一点,我转到Psoc Creator的系统选项卡,并启用启...
          发表于 04-16 14:36 ? 152次 阅读
          怎么使用ECC闪存空间来保存用户数据并处理8KB额外闪存

          在这块板上的SPC56里面读写闪存从哪一步开始最好?

          嗨,我需要在这块板上的SPC56里面读写闪存..它来自汽车发动机控制单元。 我不知?#26469;?#21738;里开始...... [IMG] ...
          发表于 04-04 16:10 ? 44次 阅读
          在这块板上的SPC56里面读写闪存从哪一步开始最好?

          如何改善68013A在未安全取出的情况下拔下闪存时不稳定的问题?

          你好,我们公司在SLaveFiFo模式下开发了一台带有68013A100AXC的打印机,它运?#22411;?#22909;但未?#35805;?#20986;的闪存盘却没有安全地在Wi...
          发表于 04-04 12:39 ? 61次 阅读
          如何改善68013A在未安全取出的情况下拔下闪存时不稳定的问题?

          E4406A VSA A22A2闪存更换套件安装说明

          E4406A VSA A22A2 Flash Memory Replacement Kit Installation Note E4406-90267...
          发表于 04-03 14:14 ? 30次 阅读
          E4406A VSA A22A2闪存更换套件安装说明

          如何在芯片内同时捕获不同触发条件下的信号

          大家好, 我想在不同的触发条件下同时存储我在芯片内核中添加的所有信号的数据。 我怎么能做到这一点? ?#19994;?#35201;求是,我正在...
          发表于 03-15 14:28 ? 47次 阅读
          如何在芯片内同时捕获不同触发条件下的信号

          请?#24335;?#25968;据存储到闪存里重新上电后之前存的数据还会在吗?

          请问,将数据存储到闪存里,重新上电后,之前存的数据还会在吗?...
          发表于 03-12 00:21 ? 219次 阅读
          请?#24335;?#25968;据存储到闪存里重新上电后之前存的数据还会在吗?

          E2434系列Intel 80C186和80C188系?#24615;?#22788;理器接口

          E2434系列Intel 80C186和80C188系?#24615;?#22788;理器接口
          发表于 03-11 17:37 ? 93次 阅读
          E2434系列Intel 80C186和80C188系?#24615;?#22788;理器接口

          NAND闪存原理图中NC引脚的作用

          如下图所示,nc 引脚可接可不接,百度说是预留的作用。 那么请问,预留了做什么?扩容量么? ...
          发表于 03-11 10:52 ? 332次 阅读
          NAND闪存原理图中NC引脚的作用
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